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市場調查報告書
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1910814

高頻寬記憶體：市場佔有率分析、產業趨勢與統計資料、成長預測（2026-2031 年）

High Bandwidth Memory - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)
出版日期: | 出版商: Mordor Intelligence | 英文 120 Pages | 商品交期: 2-3個工作天內

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※ 本網頁內容可能與最新版本有所差異。詳細情況請與我們聯繫。

簡介目錄

高頻寬記憶體市場預計將從 2025 年的 31.7 億美元成長到 2026 年的 39.8 億美元，到 2031 年達到 124.4 億美元，2026 年至 2031 年的複合年成長率為 25.58%。

高頻寬記憶體市場-IMG1

2025年，對人工智慧最佳化伺服器的持續需求、DDR5記憶體的日益普及以及超大規模資料中心業者的大力投資，共同加速了半導體價值鏈的產能擴張。過去一年，供應商專注於提升TSV產量比率，而封裝合作夥伴則投資建造新的CoWoS生產線以緩解基板短缺問題。汽車製造商加強了與記憶體供應商的合作，以確保為L3和L4級自動駕駛平台提供符合ISO 26262認證的HBM記憶體。亞太地區的製造業生態系統保持了其生產主導，韓國製造商承諾投入數十億美元用於大規模生產下一代HBM4E記憶體。

全球高頻寬記憶體市場趨勢與洞察

AI伺服器和GPU連線速率的普及程度

大型語言模型的快速成長導致到 2024 年，每塊 GPU 的 HBM 需求量將比傳統 HPC 設備增加 7 倍。 NVIDIA 的 H100 配備 80GB HBM3 顯存，傳輸速度為 3.35TB/s；而 H200 將於 2025 年初開始提供樣品，配備 141GB HBM3E 顯存，傳輸速度為 4.8TB/s。由於訂單，供應商的大部分產能已預訂至 2026 年，迫使資料中心營運商提前採購庫存並共同投資建造封裝生產線。

資料中心向DDR5和2.5D封裝的遷移

超大規模資料中心業者已將工作負載從DDR4遷移到DDR5，從而實現了每瓦效能提升50%，同時也採用了2.5D整合技術，將AI加速器與堆疊式記憶體連接到矽中介層。然而，由於基板短缺導致GPU發布延遲至2024年，對單一包裝平台的依賴增加了供應鏈風險。

TSV產量比率在12層以上堆疊結構中下降

在16層HBM堆疊結構中，由於熱循環作用，TSV內部發生了銅遷移失效，導致產量比率降至70%以下。製造商正在研發熱響應型TSV設計和新型介電材料以提高可靠性，但預計商業化還需要兩年時間。

細分市場分析

到2025年，伺服器類別將佔據高頻寬記憶體市場67.80%的收入佔有率，這主要得益於超大規模營運商向整合8-12個HBM堆疊的AI伺服器轉型。隨著雲端服務供應商推出基礎模型服務，每個GPU的頻寬需求超過3TB/s，市場需求加速成長。 2025年的能源效率目標有利於堆疊式DRAM，其每瓦效能優於獨立解決方案，使資料中心營運商能夠控制在電力預算範圍內。企業更新換代週期已經啟動，隨著企業以支援HBM的加速器取代基於DDR4的節點，採購承諾已延續至2027年。

儘管目前汽車和交通運輸領域規模較小，但預計到2031年，其複合年成長率將達到34.18%，成為成長最快的領域。晶片製造商正與一級供應商合作，將符合ASIL D要求的功能安全特性整合到晶片中。歐洲和北美的3級晶片生產項目將於2024年底開始小規模推廣，屆時車輛將利用傳統上用於資料中心推理叢集的記憶體頻寬。隨著空中升級策略的日益成熟，汽車製造商正將車輛視為邊緣伺服器，這將進一步推動HBM搭載率。

HBM3 在 AI 訓練 GPU 的應用日益廣泛，預計到 2025 年將貢獻 45.70% 的收入。 HBM3E 樣品於 2024 年第一季開始發放，首批量產產品的運作速度超過 9.2Gb/s。效能提升使每個堆疊的頻寬達到 1.2TB/s，減少了達到目標頻寬所需的堆疊數量，並降低了封裝的熱密度。

HBM3E預計40.90%的複合年成長率主要得益於美光36GB 12層高的產品，該產品將於2025年中期開始量產，目標應用是模型參數規模高達5200億的加速器。展望未來，將於2025年4月發布的HBM4標準將使每個堆疊的通道數翻倍，並將總吞吐量提升至2TB/s，為多千兆次浮點運算的AI處理器奠定基礎。

高頻寬記憶體 (HBM) 市場按應用（伺服器、網路、高效能運算、家用電子電器等）、技術（HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4）、每個堆疊的記憶體容量（4GB、8GB、16GB、24GB、32GB+）、處理器電腦（GPU、CPU、AI 介面/A7等）和地區（北美、南美、歐洲、亞太、中東和非洲）進行細分。

區域分析

到2025年，亞太地區將佔總營收的41.00%，其中韓國將扮演關鍵角色。 SK海力士和三星控制韓國超過80%的生產線。 2024年宣布的政府激勵措施支持了計劃於2027年投入運作的擴大型製造群。台灣台積電在尖端的CoWoS封裝技術方面保持壟斷地位，這使得記憶體供應依賴於本地基板供應，從而造成了區域集中度風險。

隨著美光科技獲得《晶片法案》61億美元的資金籌措，用於在紐約州和愛達荷州建設先進的DRAM晶圓廠，北美市場佔有率有所成長，預計HBM試點生產將於2026年初開始。超大規模資料中心業者的資本支出繼續推動當地需求，但大多數晶圓仍在亞洲製造，最終的模組組裝則在美國進行。

歐洲市場受汽車需求驅動而進入。德國汽車製造商已完成L3級駕駛輔助系統的HBM認證，預計2024年底開始出貨。歐盟的半導體策略仍以研發為中心，重點發展光子互連和神經形態技術，這對於未來擴大高頻寬記憶體市場至關重要。雖然中東和非洲地區仍處於應用初期，但2025年國家主導的人工智慧資料中心計劃顯示該地區的需求正在成長。

其他福利：

  • Excel格式的市場預測（ME）表
  • 3個月的分析師支持

目錄

第1章 引言

  • 研究假設和市場定義
  • 調查範圍

第2章調查方法

第3章執行摘要

第4章 市場情勢

  • 市場概覽
  • 市場促進因素
    • AI伺服器的普及和搭載率
    • 資料中心向DDR5和2.5D封裝的遷移
    • 邊緣人工智慧推理在汽車ADAS的應用
    • 超大規模資料中心業者對矽中介層堆疊的偏好
    • 各地區（韓國、美國、日本）的記憶體生產補貼
    • 光電賦能的HBM藍圖（HBM-P）
  • 市場限制
    • 12層堆疊結構中TSV產量比率損失
    • CoWoS/SoIC先進封裝能力有限
    • 頻寬大於 1TB/s 的設備出現熱感節流現象
    • 對人工智慧加速器的地緣政治出口管制
  • 價值鏈分析
  • 監管環境
  • 技術展望
  • 波特五力分析
    • 供應商的議價能力
    • 買方的議價能力
    • 新進入者的威脅
    • 替代品的威脅
    • 競爭對手之間的競爭
  • DRAM市場分析
    • DRAM 收入及預測
    • 各地區DRAM收入
    • DDR5產品的當前價格
    • DDR5產品製造商列表
  • 宏觀經濟因素的影響

第5章 市場規模與成長預測

  • 透過使用
    • 伺服器
    • 網路
    • 高效能運算
    • 家用電子電器
    • 汽車和運輸設備
  • 透過技術
    • HBM2
    • HBM2E
    • HBM3
    • HBM3E
    • HBM4
  • 按記憶體容量（每個堆疊）
    • 4 GB
    • 8 GB
    • 16 GB
    • 24 GB
    • 32 GB 或更多
  • 透過處理器介面
    • GPU
    • CPU
    • AI加速器/ASIC
    • FPGA
    • 其他
  • 按地區
    • 北美洲
      • 美國
      • 加拿大
      • 墨西哥
    • 南美洲
      • 巴西
      • 南美洲其他地區
    • 歐洲
      • 德國
      • 法國
      • 英國
      • 其他歐洲地區
    • 亞太地區
      • 中國
      • 日本
      • 印度
      • 韓國
      • 亞太其他地區
    • 中東和非洲
      • 中東
        • 沙烏地阿拉伯
        • 阿拉伯聯合大公國
        • 土耳其
        • 其他中東地區
      • 非洲
        • 南非
        • 其他非洲地區

第6章 競爭情勢

  • 市場集中度
  • 策略趨勢
  • 市佔率分析
  • 公司簡介
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • SK hynix Inc.
    • Micron Technology, Inc.
    • Intel Corporation
    • Advanced Micro Devices, Inc.
    • Nvidia Corporation
    • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
    • ASE Technology Holding Co., Ltd.
    • Amkor Technology, Inc.
    • Powertech Technology Inc.
    • United Microelectronics Corporation
    • GlobalFoundries Inc.
    • Applied Materials Inc.
    • Marvell Technology, Inc.
    • Rambus Inc.
    • Cadence Design Systems, Inc.
    • Synopsys, Inc.
    • Siliconware Precision Industries Co., Ltd.
    • JCET Group Co., Ltd.
    • Chipbond Technology Corporation
    • Cadence Design Systems Inc.
    • Broadcom Inc.
    • Celestial AI
    • ASE-SPIL（Silicon Products）
    • Graphcore Limited

第7章 市場機會與未來展望

簡介目錄
Product Code: 69589

The high bandwidth memory market is expected to grow from USD 3.17 billion in 2025 to USD 3.98 billion in 2026 and is forecast to reach USD 12.44 billion by 2031 at 25.58% CAGR over 2026-2031.

High Bandwidth Memory - Market - IMG1

Sustained demand for AI-optimized servers, wider DDR5 adoption, and aggressive hyperscaler spending continued to accelerate capacity expansions across the semiconductor value chain in 2025. Over the past year, suppliers concentrated on TSV yield improvement, while packaging partners invested in new CoWoS lines to ease substrate shortages. Automakers deepened engagements with memory vendors to secure ISO 26262-qualified HBM for Level 3 and Level 4 autonomous platforms. Asia-Pacific's fabrication ecosystem retained production leadership after Korean manufacturers committed multibillion-dollar outlays aimed at next-generation HBM4E ramps.

Global High Bandwidth Memory Market Trends and Insights

AI-Server Proliferation and GPU Attach Rates

Rapid growth in large-scale language models drove a seven-fold rise in HBM per GPU requirements compared with traditional HPC devices during 2024. NVIDIA's H100 combined 80 GB of HBM3, delivering 3.35 TB/s, while the H200 was sampled in early 2025 with 141 GB of HBM3E at 4.8 TB/s. Order backlogs locked in the majority of supplier capacity through 2026, forcing data-center operators to pre-purchase inventory and co-invest in packaging lines.

Data-Center Shift to DDR5 and 2.5-D Packaging

Hyperscalers moved workloads from DDR4 to DDR5 to obtain 50% better performance per watt, simultaneously adopting 2.5-D integration that links AI accelerators to stacked memory on silicon interposers. Dependence on a single packaging platform heightened supply-chain risk when substrate shortages delayed GPU launches throughout 2024.

TSV Yield Losses Above 12-Layer Stacks

Yield fell below 70% on 16-high HBM stacks because thermal cycling induced copper-migration failures within TSVs. Manufacturers pursued thermal through-silicon via designs and novel dielectric materials to stabilize reliability, but commercialization remains two years away.

Other drivers and restraints analyzed in the detailed report include:

  1. Edge-AI Inference in Automotive ADAS
  2. Hyperscaler Preference for Silicon Interposer Stacks
  3. Limited CoWoS/SoIC Advanced-Packaging Capacity

For complete list of drivers and restraints, kindly check the Table Of Contents.

Segment Analysis

The server category led the high bandwidth memory market with a 67.80% revenue share in 2025, reflecting hyperscale operators' pivot to AI servers that each integrate eight to twelve HBM stacks. Demand accelerated after cloud providers launched foundation-model services that rely on per-GPU bandwidth above 3 TB/s. Energy efficiency targets in 2025 favored stacked DRAM because it delivered superior performance-per-watt over discrete solutions, enabling data-center operators to stay within power envelopes. An enterprise refresh cycle began as companies replaced DDR4-based nodes with HBM-enabled accelerators, extending purchasing commitments into 2027.

The automotive and transportation segment, while smaller today, recorded the fastest growth with a projected 34.18% CAGR through 2031. Chipmakers collaborated with Tier 1 suppliers to embed functional-safety features that meet ASIL D requirements. Level 3 production programs in Europe and North America entered limited rollout in late 2024, each vehicle using memory bandwidth previously reserved for data-center inference clusters. As over-the-air update strategies matured, vehicle manufacturers began treating cars as edge servers, further sustaining HBM attach rates.

HBM3 accounted for 45.70% revenue in 2025 after widespread adoption in AI training GPUs. Sampling of HBM3E started in Q1 2024, and first-wave production ran at pin speeds above 9.2 Gb/s. Performance gains reached 1.2 TB/s per stack, reducing the number of stacks needed for the target bandwidth and lowering package thermal density.

HBM3E's 40.90% forecast CAGR is underpinned by Micron's 36 GB, 12-high product that entered volume production in mid-2025, targeting accelerators with model sizes up to 520 billion parameters. Looking forward, the HBM4 standard published in April 2025 doubles channels per stack and raises aggregate throughput to 2 TB/s, setting the stage for multi-petaflop AI processors.

High Bandwidth Memory (HBM) Market is Segmented by Application (Servers, Networking, High-Performance Computing, Consumer Electronics, and More), Technology (HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E, and HBM4), Memory Capacity Per Stack (4 GB, 8 GB, 16 GB, 24 GB, and 32 GB and Above), Processor Interface (GPU, CPU, AI Accelerator/ASIC, FPGA, and More), and Geography (North America, South America, Europe, Asia-Pacific, and Middle East and Africa).

Geography Analysis

Asia-Pacific accounted for 41.00% of 2025 revenue, anchored by South Korea, where SK Hynix and Samsung controlled more than 80% of production lines. Government incentives announced in 2024 supported an expanded fabrication cluster scheduled to open in 2027. Taiwan's TSMC maintained a packaging monopoly for leading-edge CoWoS, tying memory availability to local substrate supply and creating a regional concentration risk.

North America's share grew as Micron secured USD 6.1 billion in CHIPS Act funding to build advanced DRAM fabs in New York and Idaho, with pilot HBM runs expected in early 2026. Hyperscaler capital expenditures continued to drive local demand, although most wafers were still processed in Asia before final module assembly in the United States.

Europe entered the market through automotive demand; German OEMs qualified HBM for Level 3 driver-assist systems shipping in late 2024. The EU's semiconductor strategy remained R&D-centric, favoring photonic interconnect and neuromorphic research that could unlock future high bandwidth memory market expansion. Middle East and Africa stayed in an early adoption phase, yet sovereign AI datacenter projects initiated in 2025 suggested a coming uptick in regional demand.

  1. Samsung Electronics Co., Ltd.
  2. SK hynix Inc.
  3. Micron Technology, Inc.
  4. Intel Corporation
  5. Advanced Micro Devices, Inc.
  6. Nvidia Corporation
  7. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
  8. ASE Technology Holding Co., Ltd.
  9. Amkor Technology, Inc.
  10. Powertech Technology Inc.
  11. United Microelectronics Corporation
  12. GlobalFoundries Inc.
  13. Applied Materials Inc.
  14. Marvell Technology, Inc.
  15. Rambus Inc.
  16. Cadence Design Systems, Inc.
  17. Synopsys, Inc.
  18. Siliconware Precision Industries Co., Ltd.
  19. JCET Group Co., Ltd.
  20. Chipbond Technology Corporation
  21. Cadence Design Systems Inc.
  22. Broadcom Inc.
  23. Celestial AI
  24. ASE-SPIL (Silicon Products)
  25. Graphcore Limited

Additional Benefits:

  • The market estimate (ME) sheet in Excel format
  • 3 months of analyst support

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

  • 1.1 Study Assumptions and Market Definition
  • 1.2 Scope of the Study

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET LANDSCAPE

  • 4.1 Market Overview
  • 4.2 Market Drivers
    • 4.2.1 AI-server proliferation and GPU attach rates
    • 4.2.2 Data-center shift to DDR5 and 2.5-D packaging
    • 4.2.3 Edge-AI inference in automotive ADAS
    • 4.2.4 Hyperscaler preference for silicon interposer stacks
    • 4.2.5 Localized memory production subsidies (KR, US, JP)
    • 4.2.6 Photonics-ready HBM road-maps (HBM-P)
  • 4.3 Market Restraints
    • 4.3.1 TSV yield losses above 12-layer stacks
    • 4.3.2 Limited CoWoS/SoIC advanced-packaging capacity
    • 4.3.3 Thermal throttling in >1 TB/s bandwidth devices
    • 4.3.4 Geo-political export controls on AI accelerators
  • 4.4 Value Chain Analysis
  • 4.5 Regulatory Landscape
  • 4.6 Technological Outlook
  • 4.7 Porter's Five Forces Analysis
    • 4.7.1 Bargaining Power of Suppliers
    • 4.7.2 Bargaining Power of Buyers
    • 4.7.3 Threat of New Entrants
    • 4.7.4 Threat of Substitutes
    • 4.7.5 Intensity of Competitive Rivalry
  • 4.8 DRAM Market Analysis
    • 4.8.1 DRAM Revenue and Demand Forecast
    • 4.8.2 DRAM Revenue by Geography
    • 4.8.3 Current Pricing of DDR5 Products
    • 4.8.4 List of DDR5 Product Manufacturers
  • 4.9 Impact of Macroeconomic Factors

5 MARKET SIZE AND GROWTH FORECASTS (VALUE)

  • 5.1 By Application
    • 5.1.1 Servers
    • 5.1.2 Networking
    • 5.1.3 High-Performance Computing
    • 5.1.4 Consumer Electronics
    • 5.1.5 Automotive and Transportation
  • 5.2 By Technology
    • 5.2.1 HBM2
    • 5.2.2 HBM2E
    • 5.2.3 HBM3
    • 5.2.4 HBM3E
    • 5.2.5 HBM4
  • 5.3 By Memory Capacity per Stack
    • 5.3.1 4 GB
    • 5.3.2 8 GB
    • 5.3.3 16 GB
    • 5.3.4 24 GB
    • 5.3.5 32 GB and Above
  • 5.4 By Processor Interface
    • 5.4.1 GPU
    • 5.4.2 CPU
    • 5.4.3 AI Accelerator / ASIC
    • 5.4.4 FPGA
    • 5.4.5 Others
  • 5.5 By Geography
    • 5.5.1 North America
      • 5.5.1.1 United States
      • 5.5.1.2 Canada
      • 5.5.1.3 Mexico
    • 5.5.2 South America
      • 5.5.2.1 Brazil
      • 5.5.2.2 Rest of South America
    • 5.5.3 Europe
      • 5.5.3.1 Germany
      • 5.5.3.2 France
      • 5.5.3.3 United Kingdom
      • 5.5.3.4 Rest of Europe
    • 5.5.4 Asia-Pacific
      • 5.5.4.1 China
      • 5.5.4.2 Japan
      • 5.5.4.3 India
      • 5.5.4.4 South Korea
      • 5.5.4.5 Rest of Asia-Pacific
    • 5.5.5 Middle East and Africa
      • 5.5.5.1 Middle East
        • 5.5.5.1.1 Saudi Arabia
        • 5.5.5.1.2 United Arab Emirates
        • 5.5.5.1.3 Turkey
        • 5.5.5.1.4 Rest of Middle East
      • 5.5.5.2 Africa
        • 5.5.5.2.1 South Africa
        • 5.5.5.2.2 Rest of Africa

6 COMPETITIVE LANDSCAPE

  • 6.1 Market Concentration
  • 6.2 Strategic Moves
  • 6.3 Market Share Analysis
  • 6.4 Company Profiles (includes Global-level Overview, Market-level Overview, Core Segments, Financials, Strategic Information, Market Rank/Share, Products and Services, Recent Developments)
    • 6.4.1 Samsung Electronics Co., Ltd.
    • 6.4.2 SK hynix Inc.
    • 6.4.3 Micron Technology, Inc.
    • 6.4.4 Intel Corporation
    • 6.4.5 Advanced Micro Devices, Inc.
    • 6.4.6 Nvidia Corporation
    • 6.4.7 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
    • 6.4.8 ASE Technology Holding Co., Ltd.
    • 6.4.9 Amkor Technology, Inc.
    • 6.4.10 Powertech Technology Inc.
    • 6.4.11 United Microelectronics Corporation
    • 6.4.12 GlobalFoundries Inc.
    • 6.4.13 Applied Materials Inc.
    • 6.4.14 Marvell Technology, Inc.
    • 6.4.15 Rambus Inc.
    • 6.4.16 Cadence Design Systems, Inc.
    • 6.4.17 Synopsys, Inc.
    • 6.4.18 Siliconware Precision Industries Co., Ltd.
    • 6.4.19 JCET Group Co., Ltd.
    • 6.4.20 Chipbond Technology Corporation
    • 6.4.21 Cadence Design Systems Inc.
    • 6.4.22 Broadcom Inc.
    • 6.4.23 Celestial AI
    • 6.4.24 ASE-SPIL (Silicon Products)
    • 6.4.25 Graphcore Limited

7 MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE OUTLOOK

  • 7.1 White-space and Unmet-need Assessment